Шанхай Sunshine Technologies Co., Ltd.
+8619102176019
info@yysensor.com
Chinese
English
Дом
Продукты
Цифровые датчики
Аналоговый датчик
Пироэлектрический цифровой датчик
Датчик газа
Модуль
Кремниевая емкость
Нанмикроиглы
Оптическая связь 2,5G
Полупроводниковый охладитель TEC
Решения
Бесконтактное измерение температуры
Умный дом
Мониторинг безопасности
Обнаружение газа
Носимые устройства
Новости
Новости компании
Новости отрасли
О нас
Профиль компании
Честь компании
Связаться с нами
Дом
Продукты
Кремниевая емкость
Кремниевая емкость
SSLC471M2B79A
Область применения • Спецификация относится к однослойным конденсаторам.• Тип: SSLC471M2B79A Структура • Верхняя сторона электрода (анод): AL = 3 мкм ± 3000 А, задняя сторона (катод): Ti / Au = 5000 А ~ 6000 А • Диэлектрическая проницаемость (SiNx): 7,5 Размер • Размер кристалла (до нарезки): 0,820 ± 0,02 мм * 0,820 ± 0,02 мм • Размер чипа (после нарезки кубиками): 0,790 ± 0,03 мм * 0,790 ± 0,03 мм • Толщина: 0,210 ± 0,015 мм • Чертеж схемы: согласно рис. 1 Электрические характеристики
расследование
деталь
SSLC122M2A79A
Область применения • Спецификация относится к однослойным конденсаторам.• Тип: SSLC122M2A79A. * 0,820 ± 0,02 мм • Размер чипа (после нарезки кубиками): 0,790 ± 0,03 мм * 0,790 ± 0,03 мм • Толщина: 0,210 ± 0,015 мм • Чертеж схемы: согласно рис. 1 Электрические характеристики
расследование
деталь
SSLC103M1A79A
Область применения • Спецификация относится к однослойным конденсаторам.• Тип: SSLC103M1A79A Структура • Верхняя сторона электрода (анод): AL = 3 мкм ± 3000 А, задняя сторона (катод): Ti / Au = 5000 А ~ 6000 А • Диэлектрическая проницаемость (SiNx): 7,5 Размер • Размер кристалла (до нарезки): 0,820 ± 0,02 мм * 0,820 ± 0,02 мм • Размер чипа (после нарезки кубиками): 0,790 ± 0,03 мм * 0,790 ± 0,03 мм • Толщина: 0,210 ± 0,015 мм • Чертеж схемы: согласно рис. 1 Электрические характеристики
расследование
деталь
SSLC102M1C80A
Область применения • Спецификация относится к однослойным конденсаторам.• Тип: SSLC102M1C80A Структура • Верхняя сторона электрода (анод): AL = 3 мкм ± 3000 А, задняя сторона (катод): Ti / Au = 5000 А ~ 6000 А • Диэлектрическая проницаемость (SiNx): 7,5 Размер • Размер кристалла (до нарезки): 0,830 ± 0,02 мм * 0,830 ± 0,02 мм • Размер чипа (после нарезки кубиками): 0,800 ± 0,03 мм * 0,800 ± 0,03 мм • Толщина: 0,210 ± 0,015 мм • Чертеж схемы: согласно рис. 1 Электрические характеристики
расследование
деталь
Нажмите Enter для поиска или ESC, чтобы закрыть
English
Chinese
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur